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J-GLOBAL ID：200903008686805790

容量素子及びその製造方法

Inventor： 那須 徹 ,  木部 真樹 ,  松田 明浩 ,  井筒 康文
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997250430
Publication number (International publication number)：1999097635
Application date： Sep. 16, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 容量絶縁膜を構成する成分又は下部電極若しくは上部電極と接する他の金属膜を構成する成分が下部電極又は上部電極を通って拡散することにより容量絶縁膜の組成が変化して、容量素子の電気特性が劣化することを防止する。【解決手段】 容量素子は、下部電極11と、該下部電極11の上に形成されたBi系の強誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜12と、該容量絶縁膜12の上に形成された上部電極13Aとを備えており、上部電極13Aの上には第1のTi膜14が形成されている。上部電極13Aは、Ptの球状結晶構造を有する金属膜よりなる。

Claim (excerpt)：

下部電極と、該下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、該容量絶縁膜の上に形成された上部電極とを備えた容量素子であって、前記下部電極及び上部電極のうちの少なくとも1つの電極は、白金族金属の球状結晶構造を有する金属膜よりなることを特徴とする容量素子。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化防止作用を有する白金膜を基板上に蒸着する方法と、その方法により製造された装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-035332   Applicant：東洋セメント株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043427   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148046   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド