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J-GLOBAL ID：200903008816808509

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 渡辺 一弘 ,  生田 美植 ,  遠藤 光広
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995122869
Publication number (International publication number)：1996316210
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダストの問題及び膜の付着の問題を解決して高密度でしかも高い均一性のプラズマを生成できるプラズマソースを提供すること。【構成】 真空チャンバを画定している誘電体壁の外側に高周波電流を流すことのできる高周波アンテナを設け、この高周波アンテナと誘電体部材との間にプラズマと静電的に結合させる電極を設けることから成る。

Claim (excerpt)：

真空チャンバのプラズマ生成領域を画定する誘電体部材の外側に高周波電流を流すことのできる少なくとも一つの高周波アンテナを設け、この高周波アンテナと誘電体部材との間にプラズマと静電的に結合させる電極を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平5-502971
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-037640   Applicant：日電アネルバ株式会社, 庄司多津男
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-240663   Applicant：東京エレクトロン株式会社