面発光レーザ装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋田収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999232601
Publication number (International publication number)：2001060739
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】光導波構造を円形のままで<2~33~>方向と<01~1~>方向の閾値キャリア密度差をさらに大きくすることにより、動特性においても安定した偏光特性を示す面発光レーザ装置を得る。【解決手段】面方向が(100)面から(011)面もしくは(011~)面方向へ15°〜40°傾斜したGaAs基板上にエピタキシャル成長により形成された上下の多層膜からなる分布帰還型反射鏡とその間に挟まれた量子井戸からなる活性層を有する面発光レーザ装置において、前記活性層は圧縮歪みが導入されたInAlGaAs又はInGaAsPからなる井戸層を有する多重量子井戸である。

Claim (excerpt)：

面方位が(100)面から(011)面もしくは(011~)(1~は1の上にバーを付したものを表す)面方向へ15°〜40°傾斜したGaAs基板上にエピタキシャル成長により形成された上下の多層膜からなる分布帰還型反射鏡とその間に挟まれた量子井戸からなる活性層を有する面発光レーザ装置において、前記活性層は圧縮歪みが導入されたInAlGaAs又はInGaAsPからなる井戸層を有する多重量子井戸であることを特徴とする面発光レーザ装置。

F-Term (7)：

5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073AB28 , 5F073CA13 , 5F073CA15 , 5F073CB02 , 5F073EA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071518 Applicant：株式会社日立製作所
面発光半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-304935 Applicant：富士通株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構

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