面発光半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304935
Publication number (International publication number)：1997270562
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】イオン注入又は不純物拡散工程を付加するのみで製造できる偏光方位を規制した面発光レーザを提供する。【解決手段】面内の一部領域を発光領域4aとする活性層4と,活性層4上に設けられた半導体層12とを備えた面発光半導体レーザにおいて,発光領域4a周辺近傍に,半導体層12を変換して第二の屈折率を有する変換領域9を形成する。この変換は,イオン注入又は不純物拡散,さらに側面からの酸化によりなされる。

Claim (excerpt)：

面内の一部領域を発光領域とする活性層と,該活性層上に設けられた第一の屈折率を有する半導体層とを備え,該活性層の垂直方向に光を放射する面発光半導体レーザにおいて,該発光領域周辺近傍の該発光領域を挟み対向する領域に,該半導体層を変換して形成された第二の屈折率を有する変換領域を有することを特徴とする面発光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

面発光型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025998 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262724 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
面型発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-039171 Applicant：日本電信電話株式会社

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