飛行時間型二次イオン質量分析法による素子の情報取得方法、および、情報取得装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003161862
Publication number (International publication number)：2004085546
Application date： Jun. 06, 2003
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】抵抗率が高い基板上に固定されている生体関連物質に関して、ある程度広い領域に関して、TOF-SIMS法を利用して、その二次元的な二次イオン測定画像を得る際、チャージアップの影響を抑制して、定量性の良好な二次元的な測定画像を得ることを可能とする測定方法を提供する。【解決手段】一次イオンビームをスポット照射する際、その照射スポットを、パルス的とし、さらに、非連続的なパターンで移行しつつ、二次イオン測定を進め、最終的に、前記非連続的なパターンに従って、二次イオン測定結果を二次元的なイメージ画像へと再構成することで、十分に高い位置分解能を有する二次元的なイメージ測定画像が得られる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

複数の物質が基板表面上に配置された素子の表面から、飛行時間型二次イオン質量分析法を用いて、情報取得する方法であって、前記素子の表面上の被測定領域の面積と比較して、より小さい面積の被照射部とする一次イオンビームを、非連続的パターンでパルスとして前記素子の表面に照射する工程、前記照射される一次イオンビームによって被照射部から発生する二次イオンを飛行時間的に質量分析する工程、および前記質量分析で得られる二次イオンの分析結果を、前記一次イオンビームのパルス的照射のパターンに基づいて、二次元的情報に再構成する工程を、有することを特徴とする素子の情報取得方法。

IPC (5)：

G01N23/225 , G01N27/62 , G01N33/483 , G01N33/53 , G01N33/566

FI (6)：

G01N23/225 , G01N27/62 K , G01N27/62 V , G01N33/483 Z , G01N33/53 M , G01N33/566

F-Term (17)：

2G001AA05 , 2G001AA10 , 2G001BA06 , 2G001CA05 , 2G001EA04 , 2G001GA02 , 2G001GA06 , 2G001KA01 , 2G001LA01 , 2G001MA05 , 2G001NA07 , 2G001NA12 , 2G001NA17 , 2G045BB14 , 2G045BB48 , 2G045DA13 , 2G045FA40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

二次イオン飛行時間型質量分析計の操作方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-528697 Applicant：イーオン-トーフ・ゲー・エム・ベー・ハー
特開昭60-049252
荷電粒子線試験装置及び半導体集積回路試験装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-301618 Applicant：株式会社アドバンテスト

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Cited by examiner (6)

二次イオン飛行時間型質量分析計の操作方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-528697 Applicant：イーオン-トーフ・ゲー・エム・ベー・ハー
特開昭60-049252
荷電粒子線試験装置及び半導体集積回路試験装置
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