均一な厚さのトンネル膜を有するMTJ層を含む磁気抵抗メモリ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004276730
Publication number (International publication number)：2005109477
Application date： Sep. 24, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】均一な厚さのトンネル膜を有するMTJ層を含む磁気RAM及びその製造方法を提供する。【解決手段】一つのトランジスタとこれに連結された一つのMTJ層でメモリセルが構成されるMRAMにおいて、前記MTJ層は下部電極、下部磁性膜、屈曲なく均一な厚さを有するトンネル膜、及び上部磁性膜を含むが、前記下部電極は、第1下部電極と非晶質の第2下部電極からなることを特徴とするMRAM及びその製造方法。ここで、下部電極は、第1下部電極と非晶質の第2下部電極とからなることができる。また、下部電極と下部磁性膜との間には非晶質の平坦化膜がさらに備えられうる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

一つのトランジスタとこれに連結された一つのMTJ層とでメモリセルが構成される磁気抵抗メモリにおいて、前記MTJ層は、下部電極、下部磁性膜、屈曲なく均一な厚さを有するトンネル膜、及び上部磁性膜を含み、前記下部電極は、第1下部電極と非晶質の第2下部電極とからなることを特徴とする磁気抵抗メモリ。

IPC (2)：

H01L27/105 , G11C11/15

FI (2)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

磁場応答が改良された磁気素子とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-317501 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-001189 Applicant：シャープ株式会社
磁気記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-009514 Applicant：ソニー株式会社

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