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J-GLOBAL ID：200903008967801271

同調レーザ

Inventor： デビッド アンドリュー バークレー ミラー
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994109186
Publication number (International publication number)：1994334251
Application date： Apr. 26, 1994
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 比較的大量生産ができ、所望のレーザ波長に簡単でかつ急速に同調できるような低価格の同調レーザを提供することである。【構成】 レーザキャビティ内に配置された吸収材料の吸収レベルを変化させることによりその波長を制御している。積層した半導体構造、例えば、pinダイオード内の量子井戸はレーザキャビティ内の光ビームの干渉により形成される定在波パターン内に配置される。レーザは損失を最小にする波長で動作する傾向がある。利得と損失との間の最大の差を提供するような波長で動作することを利用して積層構造体は、隣接する一対の層の間の点でノードを与える波長でもってレーザを動作させるような場所に配置することである。同一の吸収率を有する二層構造体においては、このノードは二層の間の等距離の点にある。一方の層又は両方の層の吸収率の変化に応答して、レーザは自動的に損失を最小とするような新たな波長を選択する。一方の層又は両方の層の吸収率の変化は、レーザの波長を変更して、それによりレーザは特定の波長に同調するようになる。

Claim (excerpt)：

所定のレーザ波長を有する電磁エネルギーの定在波を維持する媒体(103)と、前記媒体中に配置され、所定の吸収レベルを有する吸収構造体(104)と、所定のレーザ波長を変化させるために吸収のレベルを変化させる手段とからなることを特徴とする同調レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/106 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体波長変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-289898   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平2-241133
  
• 半導体光フィルタ及びそれを用いた光通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023239   Applicant：キヤノン株式会社