SiCへの電極の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：櫻井俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295575
Publication number (International publication number)：1996139051
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】〔目的〕電気特性が良好で信頼度の高いオーミック接合やショットキー接合を形成できるSiCへの電極の形成方法を提供する。〔構成〕シリコンカーバイド(SiC)結晶基板(10)の表面に金属の電極層(M)を形成する工程( A,B,C ) と、この金属の電極層(M) にSiC結晶基板の外部から炭素を供給することにより炭化金属の電極層(14)に変換する炭化工程(D,E) と、この炭化金属の電極層(14)が形成されたSiC結晶基板(10)を加熱する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

シリコンカーバイド結晶基板の表面に金属の電極層を形成する工程と、前記金属の電極層に前記シリコンカーバイド結晶基板の外部から炭素を供給することにより前記金属の電極層を炭化金属の電極層に変換する炭化工程と、前記炭化金属の電極層が形成されたシリコンカーバイド結晶基板を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とするSiCへの電極の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭61-150271
炭化けい素電子デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-033983 Applicant：富士電機株式会社
3C-炭化ケイ素の成長のための基板
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-514356 Applicant：オレゴングラデュエイトインスティチュートオブサイエンスアンドテクノロジイ

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