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J-GLOBAL ID：200903009145983587
III族窒化物結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119436
Publication number (International publication number)：2003313097
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 06, 2003
Summary：
【要約】【課題】 III族窒化物結晶を混合融液の表面に浮かせて成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物結晶が大きく成長しても混合融液中に沈まないようにして、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を成長させる。【解決手段】 反応容器11内で、アルカリ金属(例えば、Na)と少なくともIII族金属を含む物質(例えば、Ga)とが混合融液24を形成し、該混合融液24と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物26(例えば、GaN)を結晶成長させるときに、混合融液24には、結晶成長するIII族窒化物26の密度よりも大きい密度のものを用いるようにしている。
Claim (excerpt)：
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、前記混合融液には、結晶成長するIII族窒化物の密度よりも大きい密度のものを用いることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
F-Term (7)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CC10
, 4G077EC08
, 4G077HA02
, 4G077HA12
