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J-GLOBAL ID：200903009146817214

有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法

Inventor： 八瀬 清志 ,  星野 聰
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002092708
Publication number (International publication number)：2003298056
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ソース電極からの有機活性層への電子の供給、及び有機活性層からドレイン電極への電子の排出効率を改善し、トランジスターの動作特性を向上させることのできる有機薄膜電界効果トランジスターを提供すること。【解決手段】 少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極とソース、ドレイン及びゲート絶縁層間に形成される有機化合物の薄膜からなる有機薄膜電界効果トランジスターにおいて、前記ソース及びドレイン電極をアルカリ金属弗化物の極薄膜とアルミニウムの積層構造としたので、ソース電極からの有機活性層への電子の供給、及び有機活性層からドレイン電極への電子の排出効率を改善し、トランジスターの動作特性を向上することができる。

Claim (excerpt)：

少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極とソース、ドレイン及びゲート絶縁層間に形成される有機化合物の薄膜からなる有機薄膜電界効果トランジスターにおいて、前記ソース及びドレイン電極をアルカリ金属弗化物の極薄膜とアルミニウムの積層構造としたことを特徴とする有機薄膜電界効果トランジスター。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (4)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/28

F-Term (15)：

5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-333152   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 有機発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-199087   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 有機発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-093872   Applicant：富士写真フイルム株式会社