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J-GLOBAL ID:200903009181031720

化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995074629
Publication number (International publication number):1996248626
Application date: Mar. 07, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】 遠紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)
IPC (3):
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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