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J-GLOBAL ID:200903037013705727

化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994152655
Publication number (International publication number):1995333834
Application date: Jun. 10, 1994
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【構成】 下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩及び窒素含有化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基である。また、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料として高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩及び窒素含有化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基である。また、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。)
IPC (3):
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 感放射線性組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-209404   Applicant:日本合成ゴム株式会社
  • 感放射線性樹脂組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-073169   Applicant:日本合成ゴム株式会社
  • 特開平4-080758
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