Pat
J-GLOBAL ID:200903009201714764
超薄膜の作製方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003334683
Publication number (International publication number):2005097693
Application date: Sep. 26, 2003
Publication date: Apr. 14, 2005
Summary:
【課題】 膜が非常に薄いときに発生する島状構造を抑制し、従来の方法では作製不可能であった滑らかな層状構造をもつ薄膜の作製を可能とする。【解決手段】 20nm以下の深さの表面領域に対して、100〜300eVの範囲内のエネルギーをもつNeより重い希ガスのイオンを膜堆積後に衝撃させることにより、滑らかな表面の層状構造とその下地層と急峻な界面をもつ薄膜の作製方法を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
20nm以下の深さの表面領域に対して、100〜300eVの範囲内のエネルギーをもつNeより重い希ガスのイオンを膜堆積後に衝撃させることにより、滑らかな表面の層状構造とその下地層と急峻な界面をもつ薄膜の作製方法
IPC (2):
FI (2):
F-Term (6):
4K029AA09
, 4K029BA05
, 4K029BC03
, 4K029CA05
, 4K029DC37
, 4K029GA00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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超平滑膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-334252
Applicant:日本真空技術株式会社
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透明導電性フィルム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-136606
Applicant:三井化学株式会社
Cited by examiner (3)
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低イオンビームを用いた金属酸化物等の薄層の改質処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-312052
Applicant:サン-ゴバンビトラージュアンテルナショナル
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スパッタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-107855
Applicant:山口日本電気株式会社
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特開昭62-284076
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