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J-GLOBAL ID：200903074207887845

超平滑膜の製造方法

Inventor： 森田 正 ,  山本 直志 ,  松浦 正道
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334252
Publication number (International publication number)：1999172429
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 表面粗さの極めて小さい平滑膜を得ること。【解決手段】 スパッタリング法で基板上に超平滑膜を作製する際に、カソードでの放電を、従来の放電圧力より低い状態の放電圧力において、カソード近傍にマグネトロン放電を支援するrf誘導結合放電用コイルを設けた機構を用いて行うこと。

Claim (excerpt)：

スパッタリング法で基板上に超平滑膜を作製する方法において、カソードでの放電を、従来の放電圧力より低い状態の放電圧力において、カソード近傍にマグネトロン放電を支援するrf誘導結合放電用コイルを設けた機構を用いて行い、基板上に超平滑膜を作製することを特徴とする超平滑膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/203

FI (3)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/35 Z ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 透明性導電膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-150009   Applicant：株式会社ニコン
• 特開昭60-043481
  
• 高真空・高速イオン処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-199962   Applicant：日本真空技術株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 誘導結合rfプラズマ支援マグネトロンスパッタ法を用いた極薄アルミナ膜の作製