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J-GLOBAL ID：200903009210431767

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： 冬木 隆 ,  浦岡 行治 ,  彦野 太樹夫 ,  三浦 篤志
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
Agent (1)： 小倉 啓七
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2006306306
Publication number (International publication number)：WO2006104150
Application date： Mar. 28, 2006
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

籠状タンパク質超分子の生成処理(S101)、籠状タンパク質超分子を用いた膜の生成処理(S102)、籠状タンパク質超分子のタンパク質外殻の除去処理(S103)を経て、絶縁体であるコアのみがシリコン基板上に整然と並んだドット配列構造物を得る。次に、ドットが配列された基板上にシリコン膜(Si)をCVD法で成長させ、上面にアルミ電極を蒸着し、キャパシタ構造の作成処理(S104)を施す。さらにアルミ電極を設けてフローティングゲートデバイスとしての物理的構造の作り込み処理(S105)を行う。最後に、アニール処理(S106)を施す。当該アニール処理により絶縁体であった各ドットをシリコン膜により還元し導電性を示すように改質する。これにより、ドットの導電性の劣化を招くことなく、安定に導電性を維持することのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。

Claim (excerpt)：

絶縁体である金属酸化物からなるコアを2次元マトリクス状の量子ドットとして絶縁膜が形成された基板上に形成するドット形成工程と、

IPC (5)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/28 301R

F-Term (17)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104DD88 ,  4M104EE03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  5F083EP17 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083PR33 ,  5F101BA54 ,  5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 二次元的に配置された量子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-148943   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-273911   Applicant：松下電器産業株式会社