プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993013830
Publication number (International publication number)：1994232079
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマ処理の制御性、均一性の向上をはかる。【構成】プラズマ処理装置の容器21の壁面21aの近傍にバイアス電界を発生させる高周波または低周波電源22を具備するバイアス電界発生手段23と、壁面21aにほぼ平行な磁界Hを印加する磁界印加手段24と、高密度プラズマを発生させるマイクロ波または高周波印加手段25とを有してなる。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理装置の容器の壁面近傍にバイアス電界を形成する高周波または低周波電源を具備するバイアス電界形成手段と、上記壁面にほぼ平行な磁界を印加する磁界印加手段と、高密度プラズマを発生させるマイクロ波または高周波印加手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/302 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-071130
特許第434933号
プラズマ加熱機構を有するプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-206422 Applicant：株式会社日立製作所

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