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J-GLOBAL ID：200903009238842509

光半導体リレーとこれを用いたコントローラ、電力供給装置及び端末装置切換装置

Inventor： 虎澤 裕康 ,  小川 弘昭
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994206549
Publication number (International publication number)：1996079041
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 負荷電流の電流制限機能を付加する。【構成】 発光ダイオード1が発光すると、フォトダイオードアレイ2に起電力が発生して、このフォトダイオードアレイ2に電流が流れる。制御回路3では、MOSFET4-1及び4-2のゲートとソースとの間を高インピーダンスして、MOSFET4-1及び4-2をそれぞれオン状態にする。出力端子5-1及び5-2にそれぞれ接続される負荷回路により、負荷電流が流れ始め、240mAに達したとする。電流制限回路11では、この電流制限値に達したことを検出し、MOSFET4-1及び4-2のゲートとソースとを接続し、ゲートに蓄積されていた電荷がソースに放電させ、ゲートとソースとの間をショートさせる。MOSFET4-1及び4-2はゲートとソースとがショートするためオフ状態になり、負荷電流が電流制限値またはそれ以下の電流に減少する。

Claim (excerpt)：

光を発光する発光部と、前記発光部により発光した光を受光して電気信号に変換する受光部と、制御電極によって第1と第2の電極間の導通を制御するスイッチ手段と、前記受光部により光を受光している時は前記制御電極と前記第1の電極との間をハイインピーダンスにし、光を受光しなくなった時に前記制御電極と前記第1の電極との間をショートする制御回路と、前記第2の電極に接続された出力端子とを、備えた光半導体リレーにおいて、前記スイッチ手段を流れる負荷電流が制限値を越えた時、そのスイッチ手段の制御電極と第1の電極との間をショートさせる電流制限回路を、設けたことを特徴とする光半導体リレー。

IPC (2)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• フォトカプラ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-004837   Applicant：株式会社東芝
• 半導体スイッチ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-300162   Applicant：株式会社東芝, 豊前東芝エレクトロニクス株式会社
• 半導体リレー回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-123831   Applicant：松下電工株式会社
• 特開平3-187516