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J-GLOBAL ID：200903009258165724

薄膜圧電体素子およびそれを用いたインクジェット記録ヘッド

Inventor：
島 田 勝 人

About 島 田 勝 人


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169750
Publication number (International publication number)：1996078748
Application date： Jul. 05, 1995
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【課題】 良好な特性の薄膜圧電体素子およびその製造法の提供。【解決手段】 多結晶体よりなる圧電体膜と、該圧電体膜を挟む二つの電極とを含んでなる、薄膜圧電体素子であって、前記圧電体膜の多結晶体の結晶粒径が0.4μm以上であり、かつ前記圧電体膜の膜厚以下であるものである。また、その製造法は、電極上に圧電体の前駆体膜を形成する工程と、前駆体膜が形成された前記電極を、酸素を含む雰囲気中で500〜700°Cの温度で加熱し、前記前駆体膜を結晶化して多結晶体よりなる圧電体膜とする第1加熱工程と、そして圧電体膜が形成された前記電極を、酸素を含む雰囲気中で750〜1200°Cの温度で加熱し、前記圧電体膜の表面から観察される多結晶体の結晶粒径を0.4μm以上とする第2加熱工程とを含んでなる。
Claim (excerpt)：
多結晶体よりなる圧電体膜と、該圧電体膜を挟む二つの電極とを含んでなる、薄膜圧電体素子であって、前記圧電体膜の多結晶体の結晶粒径が0.4μm以上であり、かつ前記圧電体膜の膜厚以下である、薄膜圧電体素子。
IPC (8)：
H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C01G 25/00 ,  C04B 35/49 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  H01L 41/22
FI (4)：
H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  C04B 35/49 B ,  H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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