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J-GLOBAL ID:200903009276397292
回路パターンの形成方法及びそれに用いられるレチクル
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994006394
Publication number (International publication number):1995211619
Application date: Jan. 25, 1994
Publication date: Aug. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 マトリクス状に形成する回路パターンのエッジ処理に必要なダミーパターンを除去することと、形成された回路パターンのパターン寸法のリニアリティを確保することと、シフタ形成等におけるレイアウトルールの上で許されない隣接パターンにおいて、位相シフト法あるいは変形照明法を行うことが可能な技術を提供することにある。【構成】 設計された回路パターンが形成されたレチクルをマスクに半導体基板を露光して回路パターンを形成する回路パターンの形成方法において、前記半導体基板上の選択された同一箇所に、レチクルに形成された複数のマスクパターンを別々に露光して一つの回路パターンを形成する。
Claim (excerpt):
設計された回路パターンが形成されたレチクルをマスクに半導体基板を露光して回路パターンを形成する回路パターンの形成方法において、前記半導体基板上の選択された同一箇所に、レチクルに形成された複数のマスクパターンを別々に露光して一つの回路パターンを形成することを特徴とする回路パターンの形成方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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特開平4-355910
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ホトマスク及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-014147
Applicant:沖電気工業株式会社
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特開平4-273427
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フオトマスクおよびそれを用いた露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-234488
Applicant:株式会社日立製作所
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露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-124190
Applicant:キヤノン株式会社
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特開平4-048715
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特開平4-355910
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特開平4-273427
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特開平4-206813
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特開平1-283925
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特開平4-355910
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特開平4-273427
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特開平4-048715
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特開平4-355910
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特開平4-273427
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特開平4-206813
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特開平1-283925
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