半導体力学量センサとその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：碓氷裕彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001256770
Publication number (International publication number)：2002148278
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】梁構造体形成時に、梁構造体と基板とが固着するのを防止する。【解決手段】基板48と、半導体材料よりなり、基板の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、力学量により変位する作用力を受ける梁構造体56と、基板48の上面に固定され、梁構造体56の少なくともその一部に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサであって、基板48の上面部であって、梁構造体56の下部に相当する部分に、突起57を形成した。

Claim (excerpt)：

基板と、半導体材料よりなり、前記基板の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、力学量により変位する作用力を受ける梁構造体と、前記基板の上面に固定され、前記梁構造体の少なくともその一部に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサであって、前記基板の上面部であって、前記梁構造体の下部に相当する部分に、突起を形成したことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (3)：

G01P 15/13 , G01H 11/06 , H01L 29/84

FI (3)：

G01P 15/13 , G01H 11/06 , H01L 29/84 Z

F-Term (27)：

2G064AB02 , 2G064BA02 , 2G064BA07 , 2G064BB03 , 2G064BB64 , 2G064BD05 , 2G064BD30 , 2G064BD45 , 2G064BD47 , 2G064BD68 , 2G064BD76 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA26 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112DA04 , 4M112DA06 , 4M112DA12 , 4M112DA18 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA10 , 4M112EA11 , 4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

トランスジューサ、これを利用したマイクロセンサ、車両制御システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-004251 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-337468
加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-163158 Applicant：株式会社村田製作所

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Cited by examiner (5)

トランスジューサ、これを利用したマイクロセンサ、車両制御システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-004251 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-337468
加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-163158 Applicant：株式会社村田製作所

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