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J-GLOBAL ID：200903009330095582

III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス

Inventor： 皿山 正二 ,  山根 久典 ,  島田 昌彦
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 磯村 雅俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001325500
Publication number (International publication number)：2002201100
Application date： Oct. 23, 2001
Publication date： Jul. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 より効率的なIII族窒化物結晶体及びその成長方法を得ること。【解決手段】 反応容器101内には、III族金属としてのGaとフラックスとしてのNaの混合融液102があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置106が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管104を通して、反応容器101外から反応容器内の空間103に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構105が備えられている。III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が、本結晶成長装置を用いることで得られる。その結果、従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、及びそれを用いたデバイスを実現することが可能となる。

Claim (excerpt)：

反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させる結晶成長方法において、III族窒化物結晶の成長条件を、III族窒化物結晶が開始する成長条件に保持した後に、結晶成長が停止する条件に保持し、その後再度結晶成長が開始する成長条件にすることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 11/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  C30B 11/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 V

F-Term (25)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EC08 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045AE30 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F053AA23 ,  5F053AA45 ,  5F053BB27 ,  5F053BB38 ,  5F053DD20 ,  5F053FF10 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F053RR11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物結晶の製造方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-164811   Applicant：日立電線株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒素50気圧750°CにおけるNaフラックス法によるGaNバルク単結晶成長