III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯村雅俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001325500
Publication number (International publication number)：2002201100
Application date： Oct. 23, 2001
Publication date： Jul. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】より効率的なIII族窒化物結晶体及びその成長方法を得ること。【解決手段】反応容器101内には、III族金属としてのGaとフラックスとしてのNaの混合融液102があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置106が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管104を通して、反応容器101外から反応容器内の空間103に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構105が備えられている。III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が、本結晶成長装置を用いることで得られる。その結果、従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、及びそれを用いたデバイスを実現することが可能となる。

Claim (excerpt)：

反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させる結晶成長方法において、III族窒化物結晶の成長条件を、III族窒化物結晶が開始する成長条件に保持した後に、結晶成長が停止する条件に保持し、その後再度結晶成長が開始する成長条件にすることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C30B 11/12 , H01L 21/205 , H01L 21/208

FI (4)：

C30B 29/38 D , C30B 11/12 , H01L 21/205 , H01L 21/208 V

F-Term (25)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077CC06 , 4G077EA02 , 4G077EA03 , 4G077EC08 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC15 , 5F045AE30 , 5F045BB12 , 5F045BB18 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F053AA23 , 5F053AA45 , 5F053BB27 , 5F053BB38 , 5F053DD20 , 5F053FF10 , 5F053LL02 , 5F053LL03 , 5F053RR03 , 5F053RR11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

窒化物結晶の製造方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164811 Applicant：日立電線株式会社

Cited by examiner (1)

窒化物結晶の製造方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164811 Applicant：日立電線株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

窒素50気圧750°CにおけるNaフラックス法によるGaNバルク単結晶成長

Cited by examiner (1)

窒素50気圧750°CにおけるNaフラックス法によるGaNバルク単結晶成長

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