半導体エピタキシャル成長方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044496
Publication number (International publication number)：1997237761
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】量子細線構造の作製方法を提供する。【解決手段】 Si基板表面にステップを有する傾斜基板を用い、加熱処理により単原子ステップが複数ステップエッジに集中させる。(バンチング)ステップバンチングしたところにSi基板よりバンドギャップエネルギーが小さいSiもしくはSiを含むIV属半導体混晶をステップエッジ上に細線状に形成し、さらにSi層で埋め込む。その結果、ステップエッジに量子細線構造が自己形成される。

Claim (excerpt)：

微傾斜したSi基板表面のステップを一定密度毎に局在させる工程と、前記の局在させた表面ステップ部分にGeもしくはGeを含むIV族系の半導体を選択的に成長する工程と、前記選択成長した部分をバンドギャップエネルギーの大きなSiを含むIV族系の半導体で埋め込み成長する工程とを含むことを特徴とする半導体エピタキシャル成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 29/06 , H01L 29/88

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 M , H01L 29/06 , H01L 29/88 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体量子細線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026412 Applicant：日本電信電話株式会社
量子細線及びこれを用いた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-017448 Applicant：株式会社日立製作所

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