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J-GLOBAL ID：200903009377268230

無電解メッキ方法、積層体の製造方法、積層体及びこの積層体を用いた装置

Inventor：
杉山 稔

About 杉山 稔

, 
原 進

About 原 進


Applicant, Patent owner：
イーメックス株式会社

About イーメックス株式会社


Agent (1)： 宮崎 伊章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003434471
Publication number (International publication number)：2005187926
Application date： Dec. 26, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 金属層と高分子電解質層との積層体であって、従来の屈曲よりも大きな屈曲が必要とされる用途に用いることができる積層体を得ることができる無電解メッキ方法を提供する。【解決手段】 高分子電解質への無電解メッキのための前処理の工程として、良溶媒または良溶媒を含む混合溶媒を浸透させて高分子電解質を膨潤させる膨潤工程であって、膨潤した前記高分子電解質が所定の形状を有し、前記高分子電解質の膨潤した状態での厚さが前記高分子電解質の乾燥した状態での厚さに対して110%以上である膨潤工程を行うことを特徴とする高分子電解質への無電解メッキ方法を用いる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
高分子電解質への無電解メッキのための前処理の工程として、良溶媒または良溶媒を含む混合溶媒を浸透させて高分子電解質を膨潤させる膨潤工程であって、膨潤した前記高分子電解質が所定の形状を有し、前記高分子電解質の膨潤した状態での厚さが前記高分子電解質の乾燥した状態での厚さに対して110%以上である膨潤工程を行うことを特徴とする高分子電解質への無電解メッキ方法。
IPC (3)：
C23C18/20 ,  C23C18/16 ,  H02N11/00
FI (3)：
C23C18/20 Z ,  C23C18/16 A ,  H02N11/00 Z
F-Term (8)：
4K022AA11 ,  4K022AA16 ,  4K022AA21 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA18 ,  4K022CA02 ,  4K022DA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (5)
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