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J-GLOBAL ID：200903009397773950

ドライエッチング装置

Inventor：
今野 聡

About 今野 聡


Applicant, Patent owner：
山形日本電気株式会社

About 山形日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997090578
Publication number (International publication number)：1998284471
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】ウェハ8を保持するESCステージ3を具備するドライエッチング装置において、真空シャンバ7内に浮遊する帯電したパーティクルが、ウェハ8表面に付着することを防止する。【解決手段】ESCステージ3の周囲を囲むように円筒状の電極板1を配置し、ESCステージ3に印加する電圧よりも絶対値が大きい電圧を電極板1に印加し、帯電したパーティクルを電極板1側へ移動させ、ウェハ8表面に付着することを回避する。
Claim (excerpt)：
真空チャンバに収納される半導体基板を静電吸着力で保持し該半導体基板を載置する静電吸着ステージを具備し前記静電吸着ステージと該静電吸着ステージと対向する上部電極との間に高周波電圧を印加させ前記半導体基板面をエッチングするドライエッイング装置において、前記真空チャンバの内壁と前記静電吸着ステージとの間にあって前記静電吸着ステージを囲むように配置される円筒状の電極板と、前記静電吸着ステージに印加される電圧よりも絶対値が大きい電圧を前記電極板に印加し所定時間を経過後に前記電極板に印加する前記電圧を断にするとともに前記高周波電圧を印加させるシーケンス制御部を備えることを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H02N 13/00
FI (4)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 R ,  H02N 13/00 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-156580   Applicant：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社
  • プラズマ処理装置の制御方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284207   Applicant：東京エレクトロン株式会社

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