SOI基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：安倍逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996079509
Publication number (International publication number)：1997246506
Application date： Mar. 06, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】支持基板用ウェーハの面取り部の形状を変更することなくSOI基板を作製する。SOI基板の面取り面の形状を任意の形状に形成可能とする。【解決手段】活性層用シリコンウェーハA(鏡面ウェーハ)表面に熱酸化膜SiO2を形成する。これと同一口径の支持基板用シリコンウェーハB(鏡面ウェーハ)を準備する。ウェーハ同士を室温で重ね合わせ、張り合わせ熱処理を行う。張り合わせ基板の活性層用ウェーハ周縁部に面取りを施す。面取り量を調節して活性層用ウェーハのシリコン層を5μmだけ周縁部に残す。残ったシリコン層をエッチングし、絶縁膜を露出させる。活性層用ウェーハを研削し、研磨する。10μmの活性層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたSOI基板を得る。発塵をなくすことができる。支持基板側部分にMOS用、バイポーラ用のウェーハを用いてSOI基板を作製できる。

Claim (excerpt)：

支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとの間に絶縁膜を介在させたSOI基板の製造方法において、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを張り合わせた後、活性層用ウェーハの周縁部を面取りしてこの周縁部に所定厚さの活性層用ウェーハを残す工程と、この周縁部に残った活性層用ウェーハをエッチングして絶縁膜を露出させる工程と、活性層用ウェーハの表面部分を研削する工程と、この研削面を研磨する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/304 321 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-325533 Applicant：株式会社東芝
特開平4-085827
接着半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-157552 Applicant：住友シチックス株式会社

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