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J-GLOBAL ID：200903009691341081

スピンオンガラスによるシリコン酸化膜の形成方法

Inventor： 弘 恩 起 ,  金 弘 根 ,  羅 圭 泰 ,  具 珠 善
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004198243
Publication number (International publication number)：2005045230
Application date： Jul. 05, 2004
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】 酸化剤溶液を用いてスピンオンガラスによる膜を硬化させて、シリコン酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造工程において、ポリシラザンを含むスピンオンガラス膜を、酸化剤溶液を用いて硬化させ、1回以上の熱処理によりシリコン酸化膜に転換させる、シリコン酸化膜の形成方法により、上記課題は解決される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上にポリシラザンを含むスピンオンガラス膜を形成する段階と、 前記スピンオンガラス膜を酸化剤容液で処理して前記ポリシラザンを酸化シリコンに転換する段階と、 を含む半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

FI (5)：

H01L21/316 G ,  H01L27/08 331A ,  H01L21/90 P ,  H01L21/90 K ,  H01L21/76 L

F-Term (71)：

5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032DA09 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA74 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033MM07 ,  5F033MM15 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F048AA04 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB13 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH11 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• 米国特許第5,310,720号明細書
  
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-308239   Applicant：株式会社日立製作所
• 米国特許第6,479,405号明細書
  
• 米国特許第5,976,618号明細書
  
• 大韓民国特許出願公開第2002-45783号明細書
  
• 米国特許第5,494,978号明細書
  
• 米国特許第5,905,130号明細書
  
• 米国特許第5,436,398号明細書
  
• 米国特許第4,937,304号明細書
  
• 米国特許第4,950,381号明細書
  

Cited by examiner (2)

• セラミックスの低温形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-313425   Applicant：東燃株式会社
• SiO2 系セラミック被膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236881   Applicant：東燃株式会社