放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069044
Publication number (International publication number)：2001257098
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】大面積の製膜およびエッチング処理に高高周波(VHF)を用いて均一な処理を行うことができる放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法を提供する。【解決手段】給電された高周波電力に基づいて放電状態を発生させるための放電電極への給電方法であって、高周波電力の位相および周波数位相のうち少なくとも一方を時間的に変化させることにより、放電電極内に生じる電圧分布を変化させる。

Claim (excerpt)：

給電された高周波電力に基づいて放電状態を発生させるための放電電極への給電方法であって、前記高周波電力の電圧波形の位相を時間的に変化させることにより、前記放電電極内に生じる電圧分布を変化させることを特徴とする放電電極への給電方法。

IPC (4)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 M , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

F-Term (35)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB04 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030JA18 , 4K030JA19 , 4K030LA16 , 5F004AA01 , 5F004AA03 , 5F004BA04 , 5F004BA06 , 5F004BB11 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045CA13 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EH04 , 5F045EH12 , 5F045EH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマCVD法による堆積膜形成方法、及びプラズマ発生用高周波電極と該電極で構成したプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-352082 Applicant：キヤノン株式会社
プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070758 Applicant：松下電器産業株式会社
プラズマ化学蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-149230 Applicant：三菱重工業株式会社

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