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J-GLOBAL ID：200903009773904920

磁気ヘッドおよびその製造方法ならびにパターン化層の形成方法

Inventor：
佐々木 芳高

About 佐々木 芳高

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石崎 和夫

About 石崎 和夫

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伊藤 浩幸

About 伊藤 浩幸


Applicant, Patent owner：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

About ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 星宮 勝美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006330350
Publication number (International publication number)：2007323797
Application date： Dec. 07, 2006
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：
【課題】形状の精度の高い磁極層を有する磁気ヘッドを実現する。【解決手段】磁気ヘッドの製造方法は、フォトマスク40を用いてパターニングされていないフォトレジスト層を選択的に露光する工程と、露光後のフォトレジスト層を現像して、磁極層の型を形成する工程と、型を用いて磁極層を形成する工程とを備えている。フォトマスク40は第1ないし第3の領域41,42,43を含んでいる。第1の領域41の外縁の形状は、その外縁の投影像が、磁極層の上面の理想的な形状における外縁に沿うような形状になっている。第2の領域42は、第1の領域41の外縁に接し、第1の領域41の外側に配置されている。第3の領域43は、第1の領域41の外縁に接することなく、第1の領域41の内側に配置されている。第3の領域43は、フォトレジスト層の露光時における反射光の影響によって磁極層の形状が所望の形状からずれることを抑制する。【選択図】図19
Claim (excerpt)：
記録媒体に対向する媒体対向面と、 前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、 前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層とを備えた磁気ヘッドであって、 前記磁極層は、互いに反対側を向く第1および第2の面を有し、 前記第1の面は、前記媒体対向面に交差する方向に延びる第1および第2の縁を有し、 前記媒体対向面における第1の縁と第2の縁との間隔はトラック幅を規定し、 前記第1の縁は、第1の湾曲部分と、この第1の湾曲部分よりも前記媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第1の湾曲部分に続く第1の直線部分とを含み、 前記第2の縁は、第2の湾曲部分と、この第2の湾曲部分よりも前記媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第2の湾曲部分に続く第2の直線部分とを含み、 前記第1の湾曲部分と第2の湾曲部分との間隔、および前記第1の直線部分と第2の直線部分との間隔は、それぞれ、前記媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなり、 前記第1の縁と前記媒体対向面との交点を通り前記媒体対向面に垂直な方向に延びる仮想の直線をL1とし、前記第2の縁と前記媒体対向面との交点を通り前記媒体対向面に垂直な方向に延びる仮想の直線をL2とし、前記第1の直線部分から媒体対向面に向かって第1の直線部分の方向に延びる仮想の直線をL3とし、前記第2の直線部分から媒体対向面に向かって第2の直線部分の方向に延びる仮想の直線をL4とし、直線L1と直線L3の交点をP1とし、直線L2と直線L4の交点をP2とし、点P1と点P2を通る仮想の直線をL5としたとき、 前記直線L5は、前記第1の面上において前記媒体対向面に平行に配置され、 前記第1の湾曲部分は、点P1と点P2を結ぶ線分の延長上の位置で直線L5と交差するように、前記直線L1および直線L3から乖離し、 前記第2の湾曲部分は、点P1と点P2を結ぶ線分の延長上の位置で直線L5と交差するように、前記直線L2および直線L4から乖離し、 前記第1の湾曲部分と第1の直線部分との接続点と前記直線L5との距離、および前記第2の湾曲部分と第2の直線部分との接続点と前記直線L5との距離は、それぞれ10〜50nmの範囲内であることを特徴とする磁気ヘッド。
IPC (1)：
G11B 5/31
FI (3)：
G11B5/31 C ,  G11B5/31 D ,  G11B5/31 K
F-Term (6)：
5D033AA05 ,  5D033BA07 ,  5D033BA13 ,  5D033BB43 ,  5D033DA07 ,  5D033DA31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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