半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994044173
Publication number (International publication number)：1995176743
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 P型シリコン基板1上に形成されるゲート酸化膜36及びP+ 型ゲート電極中には窒素がドープされている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた第1導電型の第1の電極と、前記第1の電極を挟んで前記半導体基板に設けられたソース/ドレイン領域とを備え、前記第1の絶縁膜及び前記第1の電極には、窒素がドープされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (36)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197248 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-237024
特開平4-157766

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