交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001348557
Publication number (International publication number)：2003101102
Application date： Nov. 14, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【目的】従来におけるシードレイヤはCrを40at%以下含んだNiFeCr合金で形成されていたが、今後の高記録密度化に伴って前記シードレイヤ表面の濡れ性をさらに高めることが要望され、またNiFeCrのシードレイヤを使用すると、前記シードレイヤ上の各層表面の平滑性が悪化した。【構成】シードレイヤ22を、Taなどで形成された下地層6上に、Crと元素X(ただし元素Xは、Fe、Niなど)とを有して形成し、このとき前記Crの組成比を80at%以上とし、さらに前記シードレイヤの膜厚を20Å以上130Å以下で形成する。これによってシードレイヤ22表面の濡れ性を従来に比べて飛躍的に向上させることができ、固定磁性層3における一方向性交換バイアス磁界及び抵抗変化率を大きくでき、また前記シードレイヤ上の各層の表面の平滑性を良好にすることが可能になる。

Claim (excerpt)：

下からシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤの下には、Ta,Hf,Nb,Zr,Ti,Mo,Wのうち少なくとも1種以上の元素で形成された下地層が形成されており、前記シードレイヤは、Crと元素X(ただし元素Xは、Fe、Ni、Co、Ti、V、Nb、Zr、Hf、Ta、Mo、W、Yのうち少なくとも1種以上)とを有して形成され、前記Crの組成比は80at%以上であり、前記シードレイヤの膜厚は20Å以上で130Å以下であることを特徴とする交換結合膜。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/32

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

F-Term (12)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

情報再生ヘッド装置及び情報記録再生システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-247095 Applicant：日本電気株式会社
積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-078702 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果膜並びにこれを利用した磁気抵抗効果センサ及び磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-235108 Applicant：日本電気株式会社

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