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J-GLOBAL ID：200903009923450320

誘電体磁器および積層型電子部品ならびに積層型電子部品の製法

Inventor：
山口 泰史

About 山口 泰史

, 
福田 大輔

About 福田 大輔


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001093560
Publication number (International publication number)：2002293617
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】薄層化しても誘電体磁器の絶縁破壊電圧を向上でき、誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上できる誘電体磁器および積層型電子部品ならびに積層型電子部品の製法を提供する。【解決手段】金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子21と、粒界相25とからなる誘電体磁器であって、前記主結晶粒子21表面に、アルカリ土類元素、希土類元素およびSiを含有する複合酸化物からなる被覆層31が形成されている。
Claim (excerpt)：
金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁器であって、前記主結晶粒子表面に、アルカリ土類元素、希土類元素およびSiを含有する複合酸化物からなる被覆層が形成されていることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (6)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 346 ,  H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
FI (6)：
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 346 ,  H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
F-Term (33)：
4G031AA02 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031CA05 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AD04 ,  5E001AE00 ,  5E001AH00 ,  5E001AH09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB02 ,  5G303AB11 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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