結晶性薄膜及びその製造方法、該結晶性薄膜を用いた素子、該素子を用いて構成された回路、並びに該素子もしくは該回路を含む装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺敬介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002148604
Publication number (International publication number)：2003059834
Application date： May. 23, 2002
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】溶融再固化によって得られる結晶性薄膜において、結晶粒位置を高度に制御する。【解決手段】出発薄膜3に小領域1を設け、その小領域と周囲の領域2で結晶粒もしくは結晶性クラスター濃度のサイズ分布が互いに異なる薄膜3を用いることにより、溶融再固化において、小領域1から優先的に結晶粒6を成長させ、結晶性薄膜の結晶粒の位置を制御する。【効果】出発薄膜に、互いに状態の異なる領域を連続して共存させたことにより、結晶性薄膜を構成する結晶粒の空間的位置制御を容易に実現する。

Claim (excerpt)：

出発薄膜を溶融再固化させる工程を含む結晶性薄膜の製造方法であって、互いに状態の異なる領域が連続して共存する薄膜を上記出発薄膜として用いることを特徴とする結晶性薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ZAA , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 39/24 , G02F 1/1368

FI (5)：

H01L 21/20 ZAA , H01L 39/24 C , G02F 1/1368 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

結晶成長方法およびMOS型トランジスタのチャネル形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-147042 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-180928 Applicant：ソニー株式会社
半導体回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-230647 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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