Pat

J-GLOBAL ID：200903069320228048

半導体装置作製方法

Inventor： 笠原 健司 ,  河崎 律子 ,  大谷 久
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001128346
Publication number (International publication number)：2002025907
Application date： Apr. 25, 2001
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 簡便な方法で、位置を制御して、結晶粒径の大きな結晶質半導体膜を得る方法を提供する。【解決手段】 絶縁体102上に非晶質半導体膜103を形成する工程と、前記非晶質半導体膜103上に絶縁膜104からなるマスクを形成し、前記マスクの開口部から露出した非晶質半導体膜の領域に結晶化を助長する元素を添加する工程と、前記添加工程の後、加熱処理を行い選択的に多結晶半導体領域103bを形成する工程と、波長が390〜600nmの範囲のレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置作製方法。

Claim (excerpt)：

絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜上に絶縁膜からなるマスクを形成し、前記マスクの開口部から露出した非晶質半導体膜の領域に結晶化を助長する元素を添加する工程と、前記添加工程の後、加熱処理を行い選択的に多結晶半導体領域を形成する工程と、波長が390〜600nmの範囲のレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01S 3/00

FI (6)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (115)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  5C094AA07 ,  5C094AA22 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA11 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BG07 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA12 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA01 ,  5F052FA02 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ12 ,  5F072YY06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP33 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 結晶成長方法およびMOS型トランジスタのチャネル形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-147042   Applicant：ソニー株式会社
• 結晶性半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057548   Applicant：シャープ株式会社
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-313176   Applicant：三洋電機株式会社
• 光照射による材料の改質方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-224294   Applicant：ソニー株式会社
• 非晶質薄膜結晶化方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-033931   Applicant：住友重機械工業株式会社
• 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-056481   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-094350   Applicant：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社