Pat
J-GLOBAL ID:200903010073279632

加速度センサの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 広瀬 和彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994174832
Publication number (International publication number):1996015307
Application date: Jul. 04, 1994
Publication date: Jan. 19, 1996
Summary:
【要約】【目的】 過剰にエッチングされる部位をなくし、加速度センサを寸法精度よく製造する。【構成】 半導体式の加速度センサの製造は、シリコンウェハ21に溝23,23,...を形成する第1のエッチング工程と、シリコンウェハ21の下側面のうち、加速度センサの梁,電極板,質量部に相当する部位にSiO2 膜24を形成する保護膜形成工程と、ガラス基板25上にシリコンウェハ21を接合する接合工程と、図示の如くシリコンウェハ21の上側面からエッチングを施し、各溝23を貫通させ、加速度センサの固定部と可動部とを分離して形成する第2のエッチング工程と、SiO2 膜24を除去する保護膜除去工程とからなる。ここで、保護膜形成工程でSiO2 膜24を形成することにより、第2のエッチング工程で過剰なエッチングを防止でき、加速度センサを寸法精度よく製造できる。
Claim (excerpt):
絶縁基板と、該絶縁基板上に固着された固定部と、前記絶縁基板上に該固定部と分離して設けられた可動部とを備え、前記固定部には固定電極を一体に形成し、前記可動部は、前記絶縁基板上に固着された支持部と、梁を介して該支持部と連結され加速度に応じて変位する質量部と、該質量部に前記固定部の固定電極と対向するように設けられた可動電極とを形成してなる加速度センサの製造方法において、シリコン板に一側面からエッチング処理を施し、該シリコン板の一側面に前記固定部と可動部とを分離するための溝を形成する第1のエッチング工程と、前記シリコン基板の一側面のうち前記固定部の固定電極と前記可動部の梁,質量部および可動電極に相当する部位に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記シリコン板の一側面のうち前記固定部と可動部の支持部に相当する部位を前記絶縁基板上に接合する接合工程と、前記シリコン板の他側面から一側面に向けてエッチング処理を施し、前記保護膜によって覆われた部位を保護しつつ前記シリコン板に固定部と可動部とを分離して形成する第2のエッチング工程と、前記固定部と可動部を分離した後に前記保護膜を除去する保護膜除去工程とからなる加速度センサの製造方法。
IPC (3):
G01P 15/125 ,  C23F 1/00 ,  H01L 29/84
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page