絶縁体上シリコン技術を用いた加速度計の製造方法およびそれにより得られる加速度計

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337915
Publication number (International publication number)：1995098327
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】優れた計測特性を有し、高密度で小型化が図れ製造コストが低く、しかも基板面に対し垂直または平行な感知軸を持った加速度計を得ることを目的とする。【構成】本発明に係る加速度計の製造方法は次の工程を含んでいる。a)シリコン基板(8)上にあって、絶縁層(28)によってシリコン基板から分離された導電性の単結晶のシリコンフィルム(32)を製造する工程、b)可動部材(2,6)および計測手段(12,20,16)を形成するために、シリコンフィルム(32)および絶縁層(28)を前記基板(8)までエッチングする工程、c)計測手段のための電気接点(24,26)を製造する工程、d)可動部材(2,6)を自由にするために絶縁層(32)の部分的除去して、絶縁層(28)の残余分が基板と可動部材とを一体化させる工程。

Claim (excerpt)：

下記の工程を有することを特徴とする、可動要素を有した集積加速度計の製造方法。(a)シリコン基板上にあって、絶縁層によって該基板と分離された単結晶シリコンフィルムを製造する工程、(b)前記可動要素を形成するために、前記シリコンフィルムおよび絶縁層を前記基板までエッチングする工程、および、(c)前記可動要素を自由とするために前記絶縁層を部分的に除去し、該除去による該絶縁層の残余部分によって前記可動要素と前記基板を結合する工程。

IPC (3)：

G01P 15/12 , H01L 21/306 , H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭59-044875
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174593 Applicant：富士電機株式会社
特開平4-326033

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