半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006113
Publication number (International publication number)：1998209553
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】アスペクト比が小さく、光出力-電流特性が優れた高信頼の半導体レーザ素子を容易に実現できる素子構造を提供する。【解決手段】半導体基板上にGaInP/AlGaInP量子井戸構造を活性領域としたダブルヘテロ構造を有し、電流狭窄構造となる埋込構造を設けたAlGaInP半導体レーザ素子において、レーザ光の吸収が少ない半導体結晶として無秩序化させたGaInP混晶を埋込層の一部に用い、埋込層の中でレーザ光に対して吸収層となる層へのレーザ光の漏れを抑制した構造とし、電流狭窄を行うストライプ構造の幅を狭めて高次の横モードを抑制する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた発光層となる活性領域と、上記活性領域を挾み、互いに導電型が異なる二つのクラッド層からなるダブルヘテロ構造を有し、レーザ内部の横モードを制御すると共に電流狭窄を行う埋込構造を有する半導体レーザ素子において、埋込成長により形成する電流狭窄層の一部をレーザ光の吸収が少ない半導体材料により構成したことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-145407 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-275480
特開平4-007885

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