プラズマ成膜方法及びその装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金本哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995172938
Publication number (International publication number)：1997008014
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】処理ガスを導入してプラズマを発生させ、バイアス電圧が印加される被処理基板に対して成膜するにあたり、低いバイアス電圧でも被処理基板上の溝内にボイド等が生じない成膜処理を行い、被処理基板に対してダメージを与えない。【構成】第1の処理ガスを処理容器2内の上部に導入すると共に、第2の処理ガスをウエハW近傍に導入する。アンテナ22によって第1のプラズマP1を処理容器2内の上部で発生させると共に、アンテナ31によってウエハW近傍に第2のプラズマP2を発生させる。ウエハWの溝の開口部のオーバーハング部分を削り取るエッチャントイオンを第2のプラズマP2で増加させる。エッチャントイオンの絶対数が多くなり、低いバイアス電圧でもウエハW上の溝内にボイドが生じない成膜による埋め込み処理が行える。バイアス電圧が低いので、ウエハWにダメージが生じない。

Claim (excerpt)：

処理容器内にプラズマを発生させると共に、この処理容器内に処理ガスを導入して、バイアス電圧が印加される被処理基板に対して成膜するにあたり、プラズマ用処理ガスを処理容器内の上部に導入すると共に、成膜用処理ガスを被処理基板近傍に導入し、前記プラズマ用処理ガスをプラズマ化する第1のプラズマを処理容器内で発生させると共に、前記被処理基板近傍に位置する再結合されたプラズマ用処理ガスを、第2のプラズマによって再びプラズマ化させることを特徴とする、プラズマ成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法と製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-315934 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-202667
特開平3-031481

Show all

Return to Previous Page