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J-GLOBAL ID：200903010292683449

電界放出素子及びその製造方法

Inventor： 伊藤 茂生 ,  渡辺 照男 ,  落合 久隆 ,  伊藤 順司 ,  金丸 正剛
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社 ,  工業技術院長
Agent (2)： 脇 篤夫 (外1名) ,  脇 篤夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994064360
Publication number (International publication number)：1995249368
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エミッタ材料の選択性、製造精度の保持、再現性や均一性の保持。【構成】 カソード層を形成するシリコン基板上、又はガラス基板状に形成されたカソード層に、マスク層を形成しストライプ状にパターニングを行なう工程と、パターニングされたマスク層をマスクとしてカソード層をクサビ状に加工しその表面に熱酸化膜又は陽極酸化膜を成膜する工程と、酸化膜の上面側に絶縁層、制御電極層、及び保護層を形成する工程と、エミッタの上方となるマスク層、保護層、及び酸化膜を除去しストライプ形状のエミッタを形成する工程と、ストライプ形状のエミッタを櫛状に加工し屋根型形状のエミッタとする工程とが行なわれてFECが製造されるようにする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板によるカソードの一部エッチングにより形成された少なくとも1つ以上の屋根型エミッタと該屋根型エミッタに対応する制御電極を有し、制御電極への印加電圧に応じて電界放出がなされるように構成されたことを特徴とする電界放出素子。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 電子放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-170843   Applicant：株式会社島津製作所
• 電界放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-071219   Applicant：工業技術院長, 双葉電子工業株式会社
• 特開昭51-050648
  
• 特開平4-312739