ドライエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092527
Publication number (International publication number)：1994283480
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】プラズマを用いたエッチングにおいて、エッチレート及び選択比のパタンアスペクト比依存性の小さなプロセスを提供する。【構成】本発明のドライエッチング方法は、プラズマを用いたエッチングにおいて、前記プラズマにより生成され基板表面に供給されるラジカルの吸着率が、凹凸部に一様に吸着するような吸着率であるように構成されている。【効果】エッチレートのマイクロローディング効果が低減できるとともに、大開口パタンだけでなく小開口の高アスペクト比パタンにおいても高選択比が得られる。

Claim (excerpt)：

プラズマを用いたエッチングにおいて、前記プラズマにより生成され基板表面に供給されるラジカルの吸着率が、被エッチング材質の凹凸部に一様に吸着するような吸着率であることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 , C04B 41/91 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

酸化物部分および窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296599 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-284643 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-211829

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