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J-GLOBAL ID：200903010383227659

露光データの補正方法,露光方法,フォトマスク,半導体装置,露光データの補正装置,露光装置及び半導体装置の製造装置

Inventor：
大沼 英寿

About 大沼 英寿


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996311609
Publication number (International publication number)：1998153851
Application date： Nov. 22, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 露光パターンの近接効果補正は、データ量及び処理時間が膨大であり、1チップレベルの補正処理に自動OPCシステムを適用することができない。【解決手段】 レイアウト設計された露光パターンに関する露光データを演算処理して得られた描画パターンの描画データにハッシュインデックスを付与して初期のハッシュデータベースを作成する(S11)。ハッシュデータベースを検索して目的の描画パターンの描画データを抽出する(S12)。抽出した描画データの近接効果補正を行う(S13)。補正された描画データにハッシュインデックスを付与して新たなハッシュデータベースを作成する(S14)。これによって、データの検索時間を大幅に短縮し、補正されたデータ量の圧縮する。
Claim (excerpt)：
露光の際の近接効果を補正するために、レイアウト設計された露光パターンに関する露光データを補正する方法であって、前記露光データを演算処理して得られた描画パターンにハッシュインデックスを付与して初期のハッシュデータベースを作成する工程と、前記初期のハッシュデータベースを検索して目的の描画パターンの描画データを抽出する工程と、露光を行う際の近接効果を防止するために、前記目的の描画パターンの描画データを補正する工程と、前記補正された描画データにハッシュインデックスを付与して新たなハッシュデータベースを作成する工程とを行うことを特徴とする露光データの補正方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 1/08 A ,  G06F 15/60 658 M ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 露光方法及び露光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-285043   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開昭62-125617
  • 特開昭61-108134
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