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J-GLOBAL ID:200903010388223821

電子放出素子の製造方法及び電子デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000264374
Publication number (International publication number):2002075171
Application date: Aug. 31, 2000
Publication date: Mar. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 電子放出部の高さと底面積を独立に制御することができ、且つ、電子放出部の形成位置を制御することができる電子放出素子の製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】 ダイヤモンドから電子を放出させる電子放出素子20の製造方法において、ダイヤモンド基板21にダイヤモンドの柱状体25を形成する第1ステップ(図1(d))と、柱状体25にエッチング処理を施して、基台部36と当該基台部36よりも先端側に位置して電子が放出される尖鋭部32とを有する電子放出部30を形成する第2ステップ(図1(e))と、を含むことを特徴とする。
Claim (excerpt):
ダイヤモンドから電子を放出させる電子放出素子の製造方法において、ダイヤモンド基板にダイヤモンドの柱状体を形成する第1ステップと、前記柱状体にエッチング処理を施して、基台部と当該基台部よりも先端側に位置して前記電子が放出される尖鋭部とを有する電子放出部を形成する第2ステップと、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (2):
H01J 9/02 ,  H01J 1/304
FI (2):
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
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