エッチング剤

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996338701
Publication number (International publication number)：1998177998
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、レジストパターンに与える影響を抑制し、かつ、絶縁膜を高速でエッチング可能なエッチング処理剤を提供することを目的とする。【解決手段】レジストをマスクとして基板上に形成された絶縁膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、フッ酸を8〜19重量%とフッ化アンモニウムを12〜42重量%とを含有し、水素イオン濃度が10-6.0〜10-1.8mol/Lであることを特徴とする。また、レジストをマスクとして基板上に形成されたシリコン酸化膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、前記シリコン酸化膜のエッチング速度が200nm/分以上で、かつ、前記レジストの膜減り量が50nm/分以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

レジストをマスクとして基板上に形成された絶縁膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、フッ酸を8〜19重量%とフッ化アンモニウムを12〜42重量%とを含有し、水素イオン濃度が10-6.0〜10-1.8mol/Lであることを特徴とするエッチング処理剤。

IPC (2)：

H01L 21/308 , C23F 1/24

FI (2)：

H01L 21/308 E , C23F 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-009638
特開昭63-283028
特開昭61-266581

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