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J-GLOBAL ID:200903010421142778
ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003078072
Publication number (International publication number):2004288811
Application date: Mar. 20, 2003
Publication date: Oct. 14, 2004
Summary:
【課題】ナノプリント法において、プレス圧力の低圧化と加圧時間の短縮しパターン転写を高精度に行うことを目的とする。【解決手段】プレス装置を用い、基板上に微細構造を形成するためのナノプリント装置において、前記ナノプリント装置は、スタンパに超音波で振動させる超音波発生機構を有することを特徴とするナノプリント装置、及び該装置を用いる微細構造転写方法。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、加熱・加圧するナノプリント装置において、前記ナノプリント装置は、前記スタンパを超音波で振動させる超音波発生機構を有することを特徴とするナノプリント装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/30 502D
, G11B5/84 Z
F-Term (9):
5D112AA02
, 5D112AA18
, 5D112AA24
, 5D112BA03
, 5D112BA10
, 5D112GA02
, 5D112GA16
, 5D112GB04
, 5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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転写方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-081853
Applicant:ソニー株式会社
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半導体デバイス製造におけるパターン転写法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-252337
Applicant:株式会社石川製作所, 松村英樹
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樹脂フィルムのエンボス成形方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-192361
Applicant:第一精工株式会社
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特開平1-316231
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薄膜パターン製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-270458
Applicant:株式会社日立製作所
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