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J-GLOBAL ID：200903010480681151

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
鎌田 和宏

About 鎌田 和宏


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002325921
Publication number (International publication number)：2003332634
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 樹脂バリの発生がなく、信頼性の高い発光装置を形成することを目的とする。【解決手段】 本発明は、発光素子と、主面側に発光素子を収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が凹部底面から露出されてなるリード電極と、凹部内にて発光素子を封止するモールド部材と、を有する発光装置であって、モールド部材は、凹部内からリード電極の側面とパッケージの界面に延在していることを特徴とする発光装置である。さらには、モールド材料を所望の形状に成型することが可能な金型を使用し、パッケージの材料の軟化点以上の温度のもと、金型をパッケージに圧着し、パッケージ界面とリード電極側面との間に隙間を生じさせ、リードフレームの上面から液状のモールド材料を通過させることにより、モールド材料を供給し、硬化させる工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法である。
Claim (excerpt)：
半導体素子と、該半導体素子を主面側に収納する凹部を有するパッケージと、該パッケージに挿入され先端部主面が前記凹部の底面から露出されてなるリード電極と、前記凹部内を封止するモールド部材と、を有する半導体装置であって、前記モールド部材は、少なくとも前記リード電極と前記パッケージとの界面に延在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/34
FI (5)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 D ,  H01L 23/34 B
F-Term (29)：
4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DA07 ,  4M109DB04 ,  4M109DB15 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BE01 ,  5F041AA37 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F061AA01 ,  5F061BA02 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F061FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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