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J-GLOBAL ID:200903010536437852

被覆導体厚膜前駆体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001512648
Publication number (International publication number):2003517984
Application date: Jul. 14, 2000
Publication date: Jun. 03, 2003
Summary:
【要約】厚膜の(YBCO等の)希土類Ba2 Cu3 O7-δの超伝導層を調製するための方法であって、特に、結合剤又は溶媒あるいはその両成分を含む固体材料の分散体として前駆体の成膜を含む方法。固体材料は、酸化物、フッ化物、及び超微粒子のイットリウム、バリウム、銅アセテートを含む。
Claim (excerpt):
超伝導膜を生成するための前駆体構成物であって、 前記前駆体は少なくとも1つの前駆体構成要素の粒子と、前記粒子を含有し前記粒子を分散する分散体と、を含むことを特徴とする前駆体構成物。
IPC (5):
C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (5):
C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B
F-Term (31):
4G047JC03 ,  4G047KA02 ,  4G047KA14 ,  4G047KB07 ,  4G047KB12 ,  4G047KB17 ,  4G047KD04 ,  4G047KE04 ,  4G047KE07 ,  4G047LB03 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA08 ,  4M113BA16 ,  4M113BA23 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36 ,  5G321AA01 ,  5G321AA02 ,  5G321AA03 ,  5G321AA04 ,  5G321BA07 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA22 ,  5G321CA24 ,  5G321CA26 ,  5G321DB21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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