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J-GLOBAL ID:200903010536437852
被覆導体厚膜前駆体
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001512648
Publication number (International publication number):2003517984
Application date: Jul. 14, 2000
Publication date: Jun. 03, 2003
Summary:
【要約】厚膜の(YBCO等の)希土類Ba2 Cu3 O7-δの超伝導層を調製するための方法であって、特に、結合剤又は溶媒あるいはその両成分を含む固体材料の分散体として前駆体の成膜を含む方法。固体材料は、酸化物、フッ化物、及び超微粒子のイットリウム、バリウム、銅アセテートを含む。
Claim (excerpt):
超伝導膜を生成するための前駆体構成物であって、 前記前駆体は少なくとも1つの前駆体構成要素の粒子と、前記粒子を含有し前記粒子を分散する分散体と、を含むことを特徴とする前駆体構成物。
IPC (5):
C01G 1/00
, C01G 3/00
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
FI (5):
C01G 1/00 S
, C01G 3/00
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 ZAA B
F-Term (31):
4G047JC03
, 4G047KA02
, 4G047KA14
, 4G047KB07
, 4G047KB12
, 4G047KB17
, 4G047KD04
, 4G047KE04
, 4G047KE07
, 4G047LB03
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113BA01
, 4M113BA04
, 4M113BA08
, 4M113BA16
, 4M113BA23
, 4M113CA34
, 4M113CA35
, 4M113CA36
, 5G321AA01
, 5G321AA02
, 5G321AA03
, 5G321AA04
, 5G321BA07
, 5G321CA04
, 5G321CA18
, 5G321CA22
, 5G321CA24
, 5G321CA26
, 5G321DB21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平2-279518
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酸化物結晶の作製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-282162
Applicant:財団法人国際超電導産業技術研究センター, 日本碍子株式会社, 中部電力株式会社, 株式会社日立製作所
-
酸化物超電導体の製造方法、酸化物超電導体用原料、および酸化物超電導体用原料の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-269251
Applicant:株式会社東芝, 日本特殊陶業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
Article cited by the Patent:
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