CVD装置および薄膜製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001048887
Publication number (International publication number)：2002252176
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板上に均一な薄膜を形成することが可能なCVD装置およびこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板14上への薄膜の堆積を行った後のガスが発熱体13から遠ざかる際に、外管10によってガスが内管11の外側に水平以下の方向に導かれ、発熱体13から遠ざかることにより冷却され密度が上昇するガスが内管11内に逆流せず、発熱体13近傍での自然対流によるガス流の乱れが抑制され基板14面に平行な流れが形成されるので、基板14への均一なガスの供給が可能になる。

Claim (excerpt)：

ガスを基板上に輸送して反応させ前記基板上に薄膜を堆積させるCVD装置であって、前記ガスが下方から導入される内管と、前記内管の内側に設置され前記基板を加熱する発熱体と、前記発熱体の上方に設置され、前記発熱体を通り過ぎたガスの上向流を前記内管の外側に水平以下の方向に導いて排出させ、前記基板に対しては前記基板の表面に平行なガスの流れを形成可能とする第1整流手段と、を備えることを特徴とする、CVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

F-Term (27)：

4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030FA10 , 4K030KA04 , 4K030KA05 , 4K030KA12 , 4K030KA24 , 5F045AB06 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB01 , 5F045DA53 , 5F045DQ04 , 5F045EB13 , 5F045EB15 , 5F045EC02 , 5F045EC09 , 5F045EE12 , 5F045EE20 , 5F045EF13 , 5F045EK01 , 5F045EK02 , 5F045EK07 , 5F045EK24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-087323
気相成長方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-078558 Applicant：株式会社日立製作所
炭化ケイ素の気相結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-193240 Applicant：株式会社日立製作所

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