高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095870
Publication number (International publication number)：1998287495
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】この発明は、内表面が平滑でパーティクルの発生を極力少くでき、半導体ウェハの成膜処理が歩留まりよく出来るようにしクラックのない高純度炭化珪素質半導体部材を得ようとするものである。さらに、高純度炭化珪素質炉芯管については、その熱容量を小さくしようとするものである。【解決手段】カーボン基材の外表面に熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を形成し、該熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層の表面にCVDによりSiC膜を形成し、次にカーボン基材と基材表面に形成した熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を酸化除去することを特徴とする高純度炭化珪素質半導体処理部材の製造方法である。

Claim (excerpt)：

カーボン基材の外表面に熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を形成し、該熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層の表面にCVDによりSiC膜を形成し、次にカーボン基材と基材表面に形成した熱分解カーボン層又はガラス状カーボン層を酸化除去することを特徴とする高純度炭化珪素質半導体処理部材の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/36 A , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

高純度炭化珪素体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-311347 Applicant：信越化学工業株式会社
特開昭49-079172
特開昭51-038966

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