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J-GLOBAL ID:200903010580010017
半導体集積回路装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997028057
Publication number (International publication number):1998223636
Application date: Feb. 12, 1997
Publication date: Aug. 21, 1998
Summary:
【要約】【課題】半導体集積回路装置の製造歩留まりを向上させると共に、カスタム製品の受注から出荷までの工期を更に短縮できる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を有する半導体ウェーハと配線層の形成された基板ウェーハ(配線層ウェーハという)とを互いに位置合わせして張り合わせる工程と、前記半導体ウェーハの半導体素子に前記配線層を電気接続させる工程と、前記基板ウェーハを除去する工程とを含む。
Claim (excerpt):
半導体素子を有する半導体ウェーハと配線層の形成された基板ウェーハ(配線層ウェーハという)とを互いに位置合わせして張り合わせ、前記半導体ウェーハの半導体素子に前記配線層を電気接続させる工程と、前記基板ウェーハを除去する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/3205
, H01L 21/02
, H01L 27/00 301
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
FI (4):
H01L 21/88 B
, H01L 21/02 B
, H01L 27/00 301 B
, H01L 27/08 102 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-212461
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-002486
Applicant:株式会社日立製作所
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特開昭59-048950
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シリコンウェハーの接着構造およびその接着方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-168507
Applicant:エイ・ティ・アンド・ティグローバルインフォメーションソルーションズインターナショナルインコーポレイテッド
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張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-340326
Applicant:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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