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J-GLOBAL ID:200903010580010017

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997028057
Publication number (International publication number):1998223636
Application date: Feb. 12, 1997
Publication date: Aug. 21, 1998
Summary:
【要約】【課題】半導体集積回路装置の製造歩留まりを向上させると共に、カスタム製品の受注から出荷までの工期を更に短縮できる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を有する半導体ウェーハと配線層の形成された基板ウェーハ(配線層ウェーハという)とを互いに位置合わせして張り合わせる工程と、前記半導体ウェーハの半導体素子に前記配線層を電気接続させる工程と、前記基板ウェーハを除去する工程とを含む。
Claim (excerpt):
半導体素子を有する半導体ウェーハと配線層の形成された基板ウェーハ(配線層ウェーハという)とを互いに位置合わせして張り合わせ、前記半導体ウェーハの半導体素子に前記配線層を電気接続させる工程と、前記基板ウェーハを除去する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (4):
H01L 21/88 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/08 102 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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