Pat
J-GLOBAL ID：200903066810168559

シリコンウェハーの接着構造およびその接着方法

Inventor：
デリル ディー.ジェイ.オールマン

About デリル ディー.ジェイ.オールマン


Applicant, Patent owner：
エイ・ティ・アンド・ティ グローバル インフォメーション ソルーションズ インターナショナル インコーポレイテッド

About エイ・ティ・アンド・ティ グローバル インフォメーション ソルーションズ インターナショナル インコーポレイテッド


Agent (1)： 西山 善章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994168507
Publication number (International publication number)：1995153929
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、集積回路の製造工程において必要とされる高温度耐性があり、接着構造の優れたシリコンウェハーを提供するものである。【構成】 シリコンウェハーの構成要素として、第一、第二の半導体ウェハーとこのウェハーにはさみこまれた架橋シロキサン重合体層を有する。その接着方法は、シリコン基板上にトランジスターを配し、この基板に対し液体スピン・オン・グラス(SOG)層を形成し、このSOG層にシリコンウェハーを付着しSOG層を硬化させるものである。
Claim (excerpt)：
a)第一、第二の半導体ウェハーと、b)該第一、第二の半導体ウェハーにはさみこまれた架橋シロキサン重合体層を有することを特徴とするシリコンウェハーの接着構造。
IPC (2)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 積層型半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211055   Applicant：セイコー電子工業株式会社
  • シリカ基材非反射性平面化層
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-261270   Applicant：エヌ・シー・アール・コーポレイシヨン
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215597   Applicant：セイコー電子工業株式会社
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM