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J-GLOBAL ID：200903010633566977

半導体検査装置及び半導体検査方法

Inventor：
野田 智信

About 野田 智信

, 
門多 健一

About 門多 健一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999260700
Publication number (International publication number)：2001085482
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】欠陥検査装置の占有時間を減少し、欠陥検査者の知識等に左右されることのない正確な欠陥検査パラメータを決定する。【解決手段】パターン画像24と欠陥(1)による欠陥画像28が合成され、欠陥検査画像29が作製される(ST103)。次に、暫定検査パラメータaを用いて、模擬的に欠陥検査画像29の欠陥が検査される(ST105)。その結果、欠陥検出率が算出される(ST106)。この欠陥検出率が、任意に設定した検出率条件を満たす場合、この際用いた暫定検査パラメータaが検査パラメータAとして決定される(ST108)。同様に、欠陥(2)の画像を用いて、検査パラメータBが決定される(ST110乃至ST115)。この検査パラメータAと検査パラメータBが比較され、最適検査パラメータCが決定される(ST116)。
Claim (excerpt)：
検査対象の製品パターン画像が記憶された第1のデータベースと、前記第1のデータベースからパターン画像を選択する第1の選択手段と、検査対象の欠陥画像が記憶された第2のデータベースと、前記第2のデータベースから欠陥画像を選択する第2の選択手段と、前記第1の選択手段により選択されたパターン画像と前記第2の選択手段により選択された欠陥画像を合成して欠陥検査画像を作製する作製手段と、暫定的に暫定検査パラメータを選択する第3の選択手段と、前記第3の選択手段により選択された暫定検査パラメータを用いて、前記作製手段により作製された欠陥検査画像の欠陥を検査する検査手段と、前記検査手段により、前記欠陥の検出率を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された欠陥の検出率が任意に設定した欠陥の検出率を満たすか否かを判断する判断手段と、前記判断手段により前記算出された欠陥の検出率が前記設定した欠陥の検出率を満たすと判断された場合、前記暫定検査パラメータを最適検査パラメータとして決定する決定手段とを含むことを特徴とする半導体検査装置。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/956
FI (2)：
H01L 21/66 J ,  G01N 21/956 A
F-Term (24)：
2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB07 ,  2G051AC02 ,  2G051DA06 ,  2G051EA08 ,  2G051EA14 ,  2G051EA23 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC01 ,  2G051EC02 ,  2G051EC06 ,  2G051ED07 ,  2G051GC20 ,  2G051GD05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA38 ,  4M106DJ15 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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